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追溯真空擴散焊的歷史淵源
真空擴散焊是一種在真空或惰性氣體環(huán)境下進行的擴散焊接工藝。在該工藝中,金屬材料被加熱至高溫,使其表面發(fā)生擴散反應,并與相鄰金屬表面結(jié)合。真空擴散焊在航空、航天、國防、核能和電子等領(lǐng)域廣泛應用。
真空擴散焊的歷史可以追溯到20世紀50年代初期,當時NASA的先驅(qū)者們正在進行一系列與太空探索相關(guān)的研究。在這些研究中,需要開發(fā)一種新型的擴散焊接工藝,以滿足在極端條件下太空器組件的高強度和高耐腐蝕性的要求。
1953年,美國加州大學伯克利分校的W.H. Essen(William H. Essen)提出了一種新的擴散焊接工藝,即真空擴散焊。該工藝利用真空環(huán)境減少了材料表面的氣相濃度,從而提高了擴散反應的速率。在此基礎(chǔ)上,Essen團隊進一步改進了擴散焊設(shè)備,并開發(fā)出了一種名為“Eutectic Bonding”(共晶鍵合)的新型擴散焊接工藝。
20世紀50年代末期和60年代初期,真空擴散焊逐漸成熟起來,成為了太空器和其他高性能材料的主要焊接工藝之一。在此期間,美國宇航局和其他各個國家的航空航天機構(gòu)都投入了大量的人力和物力用于擴散焊接的研究和開發(fā)。
隨著真空擴散焊的不斷發(fā)展,科研人員們也不斷探索新的擴散焊接工藝和技術(shù)。在20世紀60年代,日本的研究人員們率先提出了“真空界面接觸擴散焊”(VIB技術(shù)),這種技術(shù)利用了材料表面的微觀結(jié)構(gòu),進一步提高了擴散反應的速率和強度。
到了20世紀70年代,人們已經(jīng)開始研究擴散焊在電子行業(yè)中的應用。這個時期,德國的研究人員們率先將真空擴散焊應用于半導體器件的制造中,取得了非常顯著的成果。
隨著科技的不斷進步,真空擴散焊的應用領(lǐng)域也不斷擴展。尤其是在微電子和半導體工業(yè)中,真空擴散焊已經(jīng)成為了制造高端芯片和器件的重要工藝之一。
,真空擴散焊是一種非常重要的擴散焊接工藝,其歷史可以追溯到上世紀50年代。通過減少材料表面氣相濃度,真空擴散焊大大提高了擴散反應的速率和強度,并成為了太空探索和微電子制造等領(lǐng)域的主要焊接工藝之一。